پژوهشگران دانشگاه صنعتی شریف با همکاری دانشگاه کمبریج با سنتز نانوسیم‌های بلال مانند دی اکسید تیتانیم، موفق به ‏بهبود بازدهی سلول خورشیدی رنگدانه‌ای از طریق مدیریت پراکندگی نور شدند.

پژوهشگران دانشگاه صنعتی شریف با همکاری دانشگاه کمبریج با سنتز نانوسیم‌های بلال مانند دی اکسید تیتانیم، موفق به ‏بهبود بازدهی سلول خورشیدی رنگدانه‌ای از طریق مدیریت پراکندگی نور شدند. ‏ به گزارش سرویس علم و فن آوری پایگاه اطلاع رسانی صبا به نقل از نانو، پژوهشگران دانشگاه صنعتی شریف با همکاری دانشگاه کمبریج با سنتز نانوسیم‌های بلال مانند دی اکسید تیتانیم، موفق به ‏بهبود بازدهی سلول خورشیدی رنگدانه‌ای از طریق مدیریت پراکندگی نور شدند. این ساختار به‌خاطر خواص مناسب در پراکندگی ‏نور و همچنین سرعت بالای انتقال الکترون باعث بهبود بازده سلول خورشیدی شده است.‏

امیرمحمود بخشایش، فارغ التحصیل کارشناسی ارشد مهندسی و علم مواد دانشگاه صنعتی شریف، در رابطه با این تحقیقات ‏گفت: «این کار تحقیقاتی به منظور بهبود بازدهی سلول خورشیدی رنگدانه‌ای از طریق مدیریت پراکندگی نور، انتقالات ‏الکترونی و کاهش بازترکیب انجام گرفت که برای رسیدن به این هدف نانوسیم بلال مانند دی‌اکسید تیتانیم (‏Corn-like ‎TiO2 nanowires‏) با روش هیدروترمال/سولوترمال سنتز و بعنوان لایه پراکنده‌کننده نور در سلول خورشیدی رنگدانه به‌کار ‏گرفته شد.»‏

بخشایش سنتز مورفولوژی نانوسیم بلال مانند دی اکسید تیتانیم با استفاده از روش‎ ‎هیدروترمال/سولوترمال را به عنوان ‏اولین مرحله این تحقیقات یاد کرده و افزود: «بعد از این مرحله، لایه نشانی نانوسیم بعنوان لایه پراکنده‌کننده نور برروی لایه‌ای ‏از نانوذرات برروی شیشه هادی اکسیدی (‏FTO‏) انجام گرفت و مونتاژ سلول خورشیدی سلول رنگدانه‌ای انجام پذیرفت.»‏

مورفولوژی نانوسیم سنتز شده از قابلیت خوب در پراکندگی نور و انتقال الکترون برخوردار است. بخشایش در این باره افزود: ‏‏«نانوسیم سنتز شده متشکل از یک نانوسیم مرکزی است که بر روی سطح آن نانوذرات دی‌اکسید‌تیتانیوم رشد نموده‌اند. قطر این ‏ساختار بین 40 تا 150 نانومتر و طول آن در محدوده 5 تا 20 میکرون است. ذرات سطحی دارای قطری در حدود 60 نانومتر ‏هستند. نقش ذرات سطحی تأمین سطح ویژه کافی برای جذب رنگدانه و نقش نانوسیم مرکزی ایجاد مسیرهای مستقیم برای ‏تزریق الکترون است.»‏


شکل 1- مکانیزم تشکیل نانوسیم بلال‌مانند دی‌اکسید‌تیتانیم: (الف) نانوسیم‌های معمولی حاصل از عملیات هیدروترمال اولیه، (ب) ‏جوانه‌زنی ترک‌های اولیه در اثر تنش‌های هیدرواستاتیک، (ج) رشد ترک‌های اولیه به‌وسیله‌ی تنش‌های کششی سطحی و (د) نانوسیم ‏بلال‌مانند.‏


یکی از ایده‌های این طرح قبلاً با شماره ثبت 76854 به ثبت اختراعات رسیده است. نتایج این کار تحقیقاتی که به دست ‏امیرمحمود بخشایش، دکتر محمد رضا محمدی دانشیار دانشکده مهندسی و علم مواد دانشگاه صنعتی شریف، هدا دادار فارغ ‏التحصیل مهندسی و علم مواد دانشگاه صنعتی شریف و دکتر دی.جی. فری (‏D.J. Fray‏) استاد دانشگاه کمبریج صورت گرفته ‏است، در مجله ‏Electrochimica Acta‏ (جلد 90، 15 فوریه سال 2013) منتشر شده است. علاقمندان می‌توانند متن کامل ‏مقاله را در صفحات 302 الی 308 همین شماره مشاهده نمایند.‏

کد خبر :44400 ۱۲ شهریور ۱۳۹۲ ۱۹:۱۰

بازگشت به صفحه تازه هاي برق

Copyright © FPMC |All rights reserved| Web: www.fpmc.co.ir E-mail: info@fmpc.co.ir